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半导体行业得到了的发展。半导体产业发展迅猛，尤其近几年，大力发展半导体产业，缩短该行业与水平的差距。目前虽然有许多新兴材料来替代硅材料，但未来几年可以预见，硅材料由于其成熟的技术品质和稳定的物理化学性质，将会在相当长的一段时间里是主流材料。硅单晶作为主要材料，应用的领域也是相当广泛的。硅单晶是由多晶硅原料经过物理变化，让硅原子按照人为设定的方向进行生长，终形成的。随着新兴产业的科技创新半导体级直拉法的工艺控制\进入21世纪以来一般会采用直拉法进行。晶圆的直径越大，集成电路的成本将会越低，因此要求作为材料的硅单晶的直径也要相应的增大。这里面涉及到了一系列问题。这篇论文主要讨论的是通过对热场的设计，工艺的过程控制，减少位错的产生，以及通过化学腐蚀对位错进行检测的相关问题。
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主机部分：机架，双立柱\双层水冷式结构炉体\水冷式阀座\晶体提升及旋转机构\坩埚提升及旋转机构\氩气系统\真空系统及自动炉压检测控制\水冷系统及多种安全保障装置\留有二次加料口2，加热器电源：全水冷电源装置采用电源或原装进口IGBT及超快恢复二极管等率器件。配以高频变压器，构成新一代高频关电源。采用移相全桥软关（ZVS）及CPU控制技术。加热电源和计算机控制系统三大部分组成。1单晶硅生长炉原理简介单晶硅生长炉的特点\单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的设备。主要由主机提高了电能转换效率。坩埚提升机构的垂直方向采用了滚珠直线导轨和高精度丝杆，在高负载甚电机断电的情况下实现自锁。坩埚旋转采用可承受高转矩的多碶带驱动，从而了齿形带传动的震颤。旋转密封采用可承受轴向力磁流体密封，垂直密封采用不锈钢波纹管。 坩埚提升机构中直线导轨座和底板成90°固定，两者间采用筋板支撑，从而提高整体的刚度，避免由侧向力矩引起的直线导轨和丝杆的变形。
